专业生产中高频感应加热设备 · 源于1992年

雄厚的技术力量,丰富的生产管理经验、完善的售后服务体系

24小时咨询热线:

159 8184 5786(微信同号)

MOSFET 高频电源

发布时间:2019-08-22 浏览量:139+


MOSFET 高频电源
MOSFET逆变电源的电路组成框图。一般输出功率小于20kW的电源,采用单相交流电源供电,大于20kW的采用三相交流电源供电。由于频率的原因,一般高频电源多采用MOSFET(频率大于100kHz)。
MOSFET的特性及参数
MOSFET在结构上是在单面晶片上,制作成千上万个小的晶体管以并联的方式连接起来的,具有能承受相当高的电压、较大电流,驱动功率小,以及开关速度快的性能。MOSFET的种类繁多,按导电沟道可分为P沟道和N沟道。器件有三个电极,分别为栅极G、源极S和漏极D。当栅极电压为零时,源极和漏极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。对于N沟道器件,栅极电压大于零时存在导电沟道;对于P沟道器件,栅极电压小于零时才存在导电沟道。N沟道和P沟道器件都称为增强型MOSFET,在MOSFET的应用中主要使用N沟道增强型。
1.MOSFET的转移特性和输出特性
当G-S之间加上正向电压Uas,且大于某个电压Ur时,管子开始导通,此电压,称为开启电压(或阀值电压),Us超过U,越多,漏极电流In越大,1和VUas的关系曲线称为MOSFET的转移特性。漏极电流In与D-S间的电压Uos的关系曲线称为输出特性。输出特性分为三个工作区。I区为非饱和区,该区o随Uos增加而近似线性增加;Ⅱ区为饱和区,当MOSFET工作在开关状态时,即Uos=常数(>Ur),Io几乎不随Uos的增加而增加;Ⅲ区为截止区,该区Uos≤Ur,1o=0。
2.开关特性
MOSFET工作在直流或低频时呈现出静态特性,此时没有考虑栅极、漏极和源极各极间的电容,即Cs、Ca)(又称为反向传输电容,并以Cs表示)和Cs。当工作在高频开关状态时,由于极间电容所决定的器件输入电容C和输出电容C必须要加以考虑。
高频开关状态下的工作电路,开关波形可以看出,当输入脉冲电压u。陡升、陡降时,由于Ca。和Cs的充放电过程,致使ucs、In、Uos的变化存在一个上升和下降的过程。分别以开通时间tm和关断时间tm加以衡量,其值小表明开关速度快,反之则慢。数值范围约为数十至数百ns。图中,Td称为开通延迟时间,Tr为上升时间,T(of)为关断延迟时间,Tf为下降时间。
MOSFET是场控型器件,直流或低频工作状态时,几乎不需要输入电流;但是在高频开关工作状态时,由于要对输入电容C.。进行充放电,故需要一定的驱动功率,开关频率越高,所需要的驱动功率越大。

博评网